San Jose merkezli NEO Semiconductor, 3D X-DRAM teknolojisini kullanıma sunuyor. Patentli DRAM teknolojisi, “DRAM’in kapasite bazlı darboğaz sorunlarını çözmek ve tüm 2D DRAM pazarının yerini almak” üzere geliştirildi. Şirketin yol haritalarına göre, DRAM’de 3D NAND benzeri DRAM hücre dizilerinin uygulanması 2030 yılına kadar 1Tb belleklerin üretimini mümkün kılacak. 1 Tb (1 terabit) entegre devreler sayesinde […]

Devamı: 3D X-DRAM Teknolojisi, 4 TB Kapasiteli RAM’lerin Yolunu Açabilir
Kaynak Technopat